基本情况
姓 名: |
郑陶雷 |
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职 务: |
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职 称: |
副教授 |
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学 历: |
研究生 |
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学 位: |
博士 |
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通信地址: |
北京交通大学(海淀区 西直门外上园村3号) 电子信息工程学院 |
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邮 编: |
100044 |
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办公电话: |
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电子邮箱: |
教育背景
1982~1986年在南京工学院(现东南大学)电子工程系半导体物理与器件专业学习,86年6月获工学学士学位。 1994~1997年在西安电子科技大学专修半导体器件与微电子学,获得工学硕士学位。 1997~2001年于西安交通大学攻读固体电子学与微电子学,获工学博士学位。 2001年6月-2003年6月于北京大学博士后流动站在信息科学技术学院微电子研究院进行博士后研究工作。 |
工作经历
1986~1997年,在东北微电子研究所(现中国电子科技集团第四十七研究所)从事分立器件晶闸管的制作工艺技术与加工及集成电路质量保证。期间1986~1990年从事电力电子器件晶闸管的制作工艺与加工;1990~1994年从事集成电路的可靠性评估和失效分析;1996~1997年师从张廷庆教授开展红外焦平面阵列CMOS读出电路版图设计。 1998年4月~8月,在中科院微电子研究所进行了一个学期的科研实习,实习阶段从事甚大规模集成电路工艺集成与工艺模拟。 1998~2001年,开展SOI高压MOSFET的器件模拟与工艺TCAD。 2001~2003年,从事新型SOI功率MOS器件设计与优化及纳米尺度微光刻技术实现的研究。
2008~2009年,在美国伊利诺伊大学香槟分校进行访问学习,进修微纳技术包括纳米薄膜生长和光微机电系统的加工。 |
研究方向
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招生专业
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科研项目
指导硕士生开展课题研究(撰写论文题目)
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教学工作
2003年至今,在北京交通大学电子信息工程学院承担系、所本科、硕士研究生的课程教学及人才培养等工作。 主讲的本科课程:1 CAD基础与应用技术(10L217Q);2 半导体物理与材料基础(10L???Q)/半导体物理与器件(10L206Q/10L564Q);3 光电子技术(10L238Q)/光电子技术与器件(10L220Q);4 半导体器件工艺学(10L104Q)/半导体工艺学(10L219Q);5 敏感器件设计(10L119Q);6 集成电路测试与可靠性设计(10L???Q)/集成电路可靠性设计(10L218Q);7 电子科学与技术专业导论(10L107Q);8 纳米技术(10L209Q);9 半导体器件原理(10L224Q);10 离散数学(C101056B) 主讲的硕士课程:1 纳米电子技术导论()/纳米电子学(22001366);2 半导体器件物理()/现代半导体器件与工艺(22001373) |